Zobrazeno 1 - 10
of 89
pro vyhledávání: '"N. Iwamuro"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Industry Applications. 43:513-519
This paper presents the enhanced characteristics of a newly developed low-loss and low-noise 1200-V insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. In order to realize low-noise emission, it is necessary not only to improve the reverse recovery char
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::57b54afcc8c5148fda509c47f57f5a9a
https://doi.org/10.1109/tia.2006.890024
https://doi.org/10.1109/tia.2006.890024
Autor:
S. Tagami, N. Iwamuro
Publikováno v:
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 12:909-912
A two-dimensional power device simulator that takes into account an integral external circuit equation and Dirichlet (voltage) boundary condition is developed. This simulator has the features of achieving a fast and stable calculation even when the p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::387847d73ee5edf9a6f3ea6e510d28ed
https://doi.org/10.1109/43.229766
https://doi.org/10.1109/43.229766
Publikováno v:
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's.
A retrograded doping profile(RDP) is directly introduced into the lateral diffused channel region for an insulated gate bipolar transistor (RDP-LIGBT) on silicon-on-insulator (SOI) substrate to improve its current capability and robustness. The profi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1722488bcd8a0197b321f00403fde746
https://doi.org/10.1109/ispsd.2008.4538890
https://doi.org/10.1109/ispsd.2008.4538890
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.