Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"N. Gusseinov"'
Publikováno v:
Semiconductors. 54:1854-1857
The feature of the promising tool of lithographic nanostructuring based on selective exposure of polymer resist by ion beam is very compact (of about tens of nanometers) beam interaction volume. Herewith the main part of beam energy is deposited in t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16e807735fc032f80ae9f8eb62358629
https://doi.org/10.1134/s1063782620140262
https://doi.org/10.1134/s1063782620140262
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.