Zobrazeno 1 - 10
of 92
pro vyhledávání: '"N. Gurusinghe"'
Publikováno v:
Brain and Spine, Vol 2, Iss , Pp 101286- (2022)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/73aad03044544099b7ad7be7164f1007
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 38:161-167
We have calculated the spectral regime of subband transitions in AlxGa1−xN/GaN and AlxGa1−xN/InN single quantum wells. We used a simplified model to account for the internal electric fields, which modify the shape of the quantum well. Some of the
Autor:
J. F. Fälth, Shing-Chung Wang, Thorvald Andersson, X. Y. Liu, Bo Monemar, Ivan Gueorguiev Ivanov, H. H. Yao, M. N. Gurusinghe
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 278:406-410
The influence of dislocation density on photoluminescence intensity is investigated experimentally and compared to a model. GaN samples were grown by molecular beam epitaxy and metal-organic chemical vapour deposition. Different growth parameters and