Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"N. Glezos"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G P Patsis, N Glezos
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 10:385-388
Extreme-ultraviolet-(EUV) mask fabrication using electron-beam lithography has to eliminate the proximity effect defects, for the accurate representation of the patterned features. One special characteristic of EUV masks is that they contain a multil
Autor:
N Glezos, D Tsamakis
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 12:672-677
Charge transport phenomena in highly compensated Si resistors have been investigated in the temperature range 4.2 - 300 K from measurements of the I - V static characteristics. The prebreakdown and breakdown regions of I - V characteristics, observed
Autor:
K. Goss, L. N. Fomicheva, Pedro Prieto, Silvia Karthäuser, N. Glezos, Susagna Ricart, K. H. Michel, V. Rouco, Carola Meyer, Songhak Yoon, Ulrich Simon, S. Ye, Masahiro Tada, Sònia Estradé, Shoji Ishibashi, T. Tungsurat, M. E. Gómez, Mohammad Reza Golobostanfard, Giulia Broglia, Taichi Kosugi, Rainer Jany, Luca Larcher, Thierry Straessle, F. M. Peeters, A. Thatribud, Victor Moshchalkov, P. F. Chen, L. Covaci, M. A. Wilde, Sascha Populoh, C. Spudat, D. Velessiotis, Claus M. Schneider, Alberto Pomar, Paulo R. F. Rocha, E. Longo, P. Argitis, A. Soltow, Isao Tanaka, Dominik Urselmann, Timo Schena, Jaume Gazquez, J. Gutierrez, Stefan Blügel, Hideyuki Yasuda, Gervasi Herranz, J. A. Hirschfeld, Gustav Bihlmayer, Adam W. Franz, Yohei Miyauchi, Pengxiang Xu, Masato Yoshiya, B. W. Zhi, María Jesús Martínez-Lope, Monia Montorsi, José Antonio Alonso, Andrey Shkabko, Roman Nowak, J. Mannhart, D. Chrobak, Fei Zeng, A. I. Velichkov, D. Chataigner, R. Córdoba, Dariusz Chrobak, Christoph Richter, Vladimir Pomjakushin, Werner Dietsche, H. Lustfeld, Christian Colliex, Adam Busiakiewicz, M. Brasse, T. Wyrobek, F. de la Peña, A. A. Sorokin, Jing Yang, Maria Varela, Michael Paßens, Qian Chen, Ch. Heyn, Johan Vanacken, Yisong Lin, A. V. Salamatin, Koichi Niihara, Christoph Stampfer, D. Nasr Esfahani, L. F. Wang, P. Dimitrakis, Stefan C. J. Meskers, J. A Varela, Felip Sandiumenge, J. M. Rebled, Ingrid C. Infante, R. Nowak, Rainer Waser, Anna Palau, A. M. Douvas, Teresa Puig, Hossein Abdizadeh, S. Karthäuser, A. Epping, Roger Guzmán, W. W. Gerberich, Anke Weidenkaff, Thomas Müller, Hans Boschker, M. Budzynski, A. Boonthummo, F. Peiró, Michael Walls, A. Z Simões, R. Waser, Zhishun Wang, G. K. Ryasny, Marisa Medarde, R. Vlad, U. Wichmann, Takashi Miyake, Manuel J. Schmidt, Jochen Mannhart, Anna Llordes, Laurent Chaput, Hiromasa Ohnishi, William W Gerberich, Xavier Obradors, C. Thomsen, M. Müller, L. Houben, Josep Fontcuberta, Dago M. de Leeuw, Andrea Padovani, Leyre Sagarna, Asal Kiazadeh, Marcel Manheller, M. A Ramírez, Stefan Trellenkamp, Stephan Engels, Mariona Coll, Kerstin Blech, Henrique L. Gomes, W. B. Wu, Sizhao Li, A. V. Tsvyashchenko, Jordi Arbiol, Alexandra E. Maegli, César Magén, Janina Maultzsch, X. L. Tan, T. Pengpan, A. V. Nikolaev, Florencio Sánchez, Atsushi Togo, Kiyoyuki Terakura, O. I. Kochetov, Christa S. Barkschat, D. Grundler, Guy Deutscher
Publikováno v:
Frontiers in Electronic Materials: A Collection of Extended Abstracts of the Nature Conference Frontiers in Electronic Materials, June 17 to 20 2012, Aachen, Germany
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de03fc5f82b9dcd5a1bc5884a9f8dbfe
https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch66
https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch66
Autor:
N. Glezos, D. Tsamakis
Publikováno v:
Journal de Physique IV Proceedings
Journal de Physique IV Proceedings, EDP Sciences, 1996, 06 (C3), pp.C3-93-C3-98. ⟨10.1051/jp4:1996314⟩
Journal de Physique IV Proceedings, EDP Sciences, 1996, 06 (C3), pp.C3-93-C3-98. ⟨10.1051/jp4:1996314⟩
The behaviour of the (I-V) characteristics is investigated in n + -i-n + highly compensated Si resistors at temperatures 4.2-45K. The conduction mechanisms are discussed in detail here. The prebreakdown and breakdown regions of I-V characteristics we
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ba14ae9e437e153ed0825425e88f717a
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00254232/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00254232/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We fabricated nanodevices based on a composite PMMA/H3SiW12040 system and investigated the effects of electrode material, electrode distance and molecular concentration on the electronic transport characteristics. It is found that in the case of elec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::84a7dee5b89b12ff1e1900b5504451c6
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84884403253&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84884403253&partnerID=MN8TOARS