Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"N. Gerrish"'
Autor:
Y.S. Hsieh, G. Braithwaite, J.H. Ho, J.K. Chen, C.C. Huang, Ming-Ren Lin, N. Gerrish, Y.T. Loh, F. Singaporewala, Ariel Liu, W.T. Shiau, Y.Y. Chiang, J.R. Hwang, Richard Hammond, H.K. Lee, Mayank T. Bulsara, T.P. Chen, S.C. Chien, T.M. Shen, M. Currie, Qi Xiang, S.M. Ting, F. Wen, A. Lochtefeld
Publikováno v:
2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407).
An 86% electron mobility improvement and over 20% I/sub dn-sat/ enhancement were demonstrated for a 70 nm strained-Si CMOS process fabricated on SiGe virtual substrates. Compared to a bulk-Si CMOS process, the strained-Si process delivered 95% higher
Autor:
N. Gerrish, K. C. Wu, Matthew T. Currie, D. Bruce, Jeffrey T. Borenstein, Eugene A. Fitzgerald
Publikováno v:
MRS Proceedings. 518
The objective of this work was to develop an improved wet etch-stop technology for silicon micromachining. To establish a reference for process improvement, the diffusion process currently used to fabricate p++ Si:B etch stops was comprehensively inv
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.