Zobrazeno 1 - 10
of 110
pro vyhledávání: '"N. Frangis"'
Autor:
J. Castro, S. Chiussi, J. Serra, B. León, M. Pérez-Amor, S. Martelli, R. Larciprete, N. Frangis
Publikováno v:
Revista de Metalurgia, Vol 34, Iss 2, Pp 78-81 (1998)
El creciente interés que suscita la búsqueda de nuevas técnicas para la obtención de materiales semiconductores, compatibles con la tecnología del silicio, ha llevado a desarrollar un sistema de depósito y postprocesado en alto vacío (HV) de S
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/67e7ee6868254dd48b7d6c2039822207
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Frangis, J. Stoemenos, N. Vouroutzis, G. Battistig, B. Pécz, G. Z. Radnóczi, E. Dodony, A. Kovács
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
The crystallization of amorphous silicon is studied by transmission electron microscopy. The effect of Ni on the crystallization is studied in a wide temperature range heating thinned samples in-situ inside the microscope. Two cases of limited Ni sou
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e92485b6db0a2b8cc4bd52458fc36d5b
https://doi.org/10.1063/1.4908579
https://doi.org/10.1063/1.4908579
Autor:
N. Frangis
Publikováno v:
Journal of Electron Microscopy. 47:553-560
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0fc301fff564a9c50b2664d660d64c22
https://doi.org/10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023628
https://doi.org/10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023628
Publikováno v:
Physical Review B. 56:9286-9289
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ee09b29527efa85d780cc939c1323387
https://doi.org/10.1103/physrevb.56.9286
https://doi.org/10.1103/physrevb.56.9286
Autor:
Takao Morimura, Kunihiro Hisatsune, Masayuki Hasaka, Gustaaf Van Tendeloo, Joseph Van Landuyt, N. Frangis
Publikováno v:
Journal of Electron Microscopy. 46:221-225
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e077e650f61ae15e392d696c57f47c7
https://doi.org/10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023512
https://doi.org/10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023512
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied surface science
Erbium silicide films were grown in high vacuum (10 −8 Torr) on (100) silicon substrates by erbium evaporation on a heated substrate and subsequent annealing. The substrate temperature was between 400–450°C and a second annealing step was given
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4c5d35e5f207919ccbcd9a00a7c83223
https://hdl.handle.net/10067/154590151162165141
https://hdl.handle.net/10067/154590151162165141
Publikováno v:
Journal of alloys and compounds
ErSi 2−x films ( x = 0.1–0.3) grown by co-evaporation at different deposition ratios have been characterised by transmission electron microscopy, electron diffraction and high resolution electron microscopy. A very good epitaxial growth relation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::30cd3bf4e44101fd10cdef34d0bbb772
https://hdl.handle.net/10067/154510151162165141
https://hdl.handle.net/10067/154510151162165141
