Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"N. Delegan"'
Autor:
J. A. Michaels, N. Delegan, Y. Tsaturyan, J. R. Renzas, D. D. Awschalom, J. G. Eden, F. J. Heremans
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A. 41
A new approach to atomic layer etching (ALE) has been demonstrated, and its application to 4H-SiC is reported here. By pulsing only the DC bias for an Ar/Cl2 inductively coupled plasma-reactive ion etching system, the etch cycle duration is reduced b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f84c7857b82e9c6b3fe511fb12be4cfd
https://doi.org/10.1116/6.0002447
https://doi.org/10.1116/6.0002447
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Maddali, P. Li, A. Pateras, D. Timbie, N. Delegan, A. L. Crook, H. Lee, I. Calvo-Almazan, D. Sheyfer, W. Cha, F. J. Heremans, D. D. Awschalom, V. Chamard, M. Allain, S. O. Hruszkewycz
Publikováno v:
Journal of Applied Crystallography
Journal of Applied Crystallography, 2020, 53 (2), pp.393-403. ⟨10.1107/S1600576720001363⟩
Journal of Applied Crystallography, International Union of Crystallography, 2020, 53 (2), pp.393-403. ⟨10.1107/S1600576720001363⟩
Journal of Applied Crystallography, 2020, 53 (2), pp.393-403. ⟨10.1107/S1600576720001363⟩
Journal of Applied Crystallography, International Union of Crystallography, 2020, 53 (2), pp.393-403. ⟨10.1107/S1600576720001363⟩
International audience; This two-part article series provides a generalized description of the scattering geometry of Bragg coherent diffraction imaging (BCDI) experiments, the shear distortion effects inherent in the 3D image obtained from presently
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::03cbc1cbf430040dfc94878060eb4d79
https://doi.org/10.1107/s1600576720001363
https://doi.org/10.1107/s1600576720001363
Publikováno v:
Materials for Quantum Technology. 2:023001
Silicon carbide (SiC) can be synthesized in a number of different structural forms known as polytypes with a vast array of optically active point defects of interest for quantum information sciences. The ability to control and vary the polytypes duri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a8a09260fd417e41ff4fd581e56182b
https://doi.org/10.1088/2633-4356/ac6b76
https://doi.org/10.1088/2633-4356/ac6b76
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.