Zobrazeno 1 - 10
of 687
pro vyhledávání: '"N. Collaert"'
Autor:
P. Huang, Q. H. Luc, A. Sibaja-Hernandez, H. L. Ko, J. Y. Wu, N. A. Tran, N. Collaert, E. Y. Chang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 854-859 (2022)
This work demonstrates the high-frequency characteristics of In0.53Ga0.47As nanowire with scaled wire width by implementing TCAD simulations. The physical models and correlated parameters have been calibrated to the experiments (Ko et al., 2022). As
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bb9a70ec48e64b449eadf8becf2a3716
Autor:
P. Huang, Q. H. Luc, A. Sibaja-Hernandez, C. W. Hsu, J. Y. Wu, H. L. Ko, N. A. Tran, N. Collaert, E. Y. Chang
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 11, Iss 1, Pp 015050-015050-8 (2021)
In this work, we demonstrated considerable enhancement of the transport characteristics of n-type Al2O3/In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (n-MOSFETs) with the assistance of in situ NH3/N2 remote-plasma (RP) treatment.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4adaddd04bab4079b53e44f0efe7602c
Autor:
S. Yoshida, H. C. Lin, A. Vais, A. Alian, J. Franco, S. El Kazzi, Y. Mols, Y. Miyanami, M. Nakazawa, N. Collaert, H. Watanabe, A. Thean
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 6, Pp 480-484 (2017)
We have validated that the electrical performances of the In0.53Ga0.47As MOSFETs such as sub-threshold slope (SS) and electron mobility were dependent on interfacial reactions in the metal/highk/InGaAs gate stacks which could be controlled remotely b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1c91fcb143b34364b11d6eeadda1b45c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc01195a0f070e7654d56dddae17f85f
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019370
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019370
Autor:
S. Abhinay, W.-M. Wu, C.-A. Shih, S.-H. Chen, A. Sibaja-Hernandez, B. Parvais, U. Peralagu, A. Alian, T.-L. Wu, M.-D. Ker, G. Groeseneken, N. Collaert
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9bb43524b8f202bc88c0002c8a4a81c1
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019357
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019357
Autor:
A. Vais, S. Yadav, Y. Mols, B. Vermeersch, K. V. Kodandarama, M. Baryshnikova, G. Mannaert, R. Alcotte, G. Boccardi, P. Wambacq, B. Parvais, R. Langer, B. Kunert, N. Collaert
Publikováno v:
ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::62fcb65001f4b42edafbeff13af12861
https://doi.org/10.1109/essderc55479.2022.9947124
https://doi.org/10.1109/essderc55479.2022.9947124
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Peeters, S. Sinha, X. Sun, C. Desset, G. Gramegna, J. Slabbekoorn, P. Bex, N. Pinho, T. Webers, D. Velenis, A. Miller, N. Collaert, G. Van der Plas, E. Beyne, M. Huynen, R. Broucke
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5a83b41766355426f0784d538a739e55
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830480
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830480
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.