Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"N. Chaaben"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Chaaben, Jean-Paul Salvestrini, A. Kahouli, Abdullah S. Alshammari, M. Bouzidi, W. Malek, A. Rebey
Publikováno v:
Optik
Optik, Elsevier, 2021, 248, pp.168070. ⟨10.1016/j.ijleo.2021.168070⟩
Optik, Elsevier, 2021, 248, pp.168070. ⟨10.1016/j.ijleo.2021.168070⟩
In the current study, we investigated the partial decomposition of GaN layers grown on SiN-treated sapphire substrate in an atmospheric pressure metal organic vapor phase epitaxy (AP-MOVPE) vertical reactor under N2 ambient at 1200 °C. Under these e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::eba37b46c7c554a5bc2c2bc2dd969621
https://hal-cnrs.archives-ouvertes.fr/hal-03445791
https://hal-cnrs.archives-ouvertes.fr/hal-03445791
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2021, 132, pp.105909. ⟨10.1016/j.mssp.2021.105909⟩
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2021, 132, pp.105909. ⟨10.1016/j.mssp.2021.105909⟩
International audience; GaN layers were grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) on GaAs (110) substrate at temperature varying in the range of 750–900 °C. 50 nm-thick GaN layer grown at low temperature (550 °C) was used as buffer layer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f48433b58087b6c393f2af27c93b697a
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03350514
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03350514
Autor:
M. Ben Alaya, J.-D. Taupin, M. H. Msaddek, I. Ayari, N. Patris, N. Chaabene, B. Toumi, F. Melki
Publikováno v:
Proceedings of the International Association of Hydrological Sciences, Vol 385, Pp 327-332 (2024)
The determination of the origin of salinity in the superficial aquifer of Mornag (NE Tunisia), and the understanding of its hydrological and geochemical behaviours related to severe natural and anthropogenic constraints, were approached by the combin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ca96d0acb14744f9a6d114233e2bc638
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 595:121837
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ec8de5e81b7840f0d24a5e17fd61ce1
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2022.121837
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2022.121837
Publikováno v:
Optik. 265:169491
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3260a7a2244a4b5b027993ff6eebca11
https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2022.169491
https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2022.169491
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B
Materials Science and Engineering: B, 2018, 227, pp.16-21. ⟨10.1016/j.mseb.2017.10.002⟩
Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2018, 227, pp.16-21. ⟨10.1016/j.mseb.2017.10.002⟩
Materials Science and Engineering: B, 2018, 227, pp.16-21. ⟨10.1016/j.mseb.2017.10.002⟩
Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2018, 227, pp.16-21. ⟨10.1016/j.mseb.2017.10.002⟩
International audience; We investigated the partial decomposition of GaN layers grown in an atmospheric pressure metal organic vapor phase epitaxy (AP-MOVPE) vertical reactor at 1200 °C under N2 ambient. In these conditions, the early stages of GaN
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2e7a77a3716818aa4f5e859efc389611
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2017.10.002
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2017.10.002
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.