Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"N. Becourt"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science and Technology. 12:108-112
An initial investigation of the influence of the sacrificial oxidation process on the improvement of the quality of deposited SiC films is reported. The process is developed in three different steps: polishing of SiC heterostructures, heating in an O
Autor:
J.L. Ponthenier, Jean Camassel, C. Dezauzier, N. Becourt, G. Arnaud, J. Pascual, Jean-Louis Robert, Sylvie Contreras, C. Jaussaud
Publikováno v:
Sensors and Actuators A: Physical. 46:71-75
The chemical and physical characteristics of silicon carbide (SiC) films make them increasingly interesting for sensors and devices operating at high temperature, high pressure and/or in aggressive environments. Concerning thermal sensors, for instan
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 75:604-607
Low‐frequency capacitance and conductance measurements have been extensively performed from 1 Hz to 100 kHz and in the 293–673 K temperature range, on metal‐oxide‐semiconductor (MOS) capacitors made on silicon carbide material. The energy dis
Autor:
C. Spire, A. Beamonte, Jean-Luc Delongeas, H. Bertheux, Nancy Claude, G. Vermeil de Conchard, N. Becourt-Lhote, Françoise Goldfain-Blanc, C. Maisonneuve
Publikováno v:
Regulatory toxicology and pharmacology : RTP. 57(2-3)
Drug safety research is frequently faced with the challenge of the selection of appropriate vehicles for use in in vivo non-clinical safety assessment studies. Reported here are the results of blend Labrasol, Labrafil and Transcutol, [L/L/T, (4/4/2,
Autor:
N. Becourt, C. Jassaud, P. Morfouli, Thierry Ouisse, P. Lassagne, J.L. Ponthenier, L. Baud, Thierry Billon
Publikováno v:
Electronics Letters. 30:170-171
Inversion mode n-channel MOSFETs have been built on (6H) silicon carbide (SiC) substrates, with thermal oxide as the gate insulator, and with channel lengths ranging from 1 to 25 mu m. Drain leakage currents lower than 0.04 pA/ mu m channel width hav
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.