Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Analysis of Bi Distribution in Epitaxial GaAsBi by Aberration-Corrected HAADF-STEM

Autor: N. Baladés, D. L. Sales, M. Herrera, C. H. Tan, Y. Liu, R. D. Richards, S. I. Molina

Publikováno v: Nanoscale Research Letters, Vol 13, Iss 1, Pp 1-8 (2018)

Abstract The Bi content in GaAs/GaAs1 − x Bi x /GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy at a substrate temperature close to 340 °C is investigated by aberration-corrected high-angle annular dark-field techniques. The analysis at low

Externí odkaz: https://doaj.org/article/96b06adae5e6483eb458bc90a2bc8029

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Influence of the crosstalk on the intensity of HAADF‐STEM images of quaternary semiconductor materials

Autor: M. P. Guerrero, Elisa Guerrero, N. Baladés, Sergio I. Molina, David L. Sales, Miriam Herrera, Pedro L. Galindo

Publikováno v: Journal of Microscopy. 273:81-88

The influence of the neighbouring atomic-columns in determining the composition at atomic column scale of quaternary semiconductor compounds, using simulated HAADF-STEM images is evaluated. The InAlAsSb alloy, a promising material in the photovoltaic

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b3ea6d2a187c8c29a0e3a2b06cfe472a
https://doi.org/10.1111/jmi.12763

Zobrazit plný text záznamu

Effect of annealing on the compositional modulation of InAlAsSb

Autor: Stephanie Tomasulo, David L. Sales, Nichole M. Hoven, Miriam Herrera, Maria Gonzalez, Seth M. Hubbard, K. Clark, J.R. Walters, P. Pinsunkajana, Sergio I. Molina, F J Delgado, N. Baladés

Publikováno v: Applied Surface Science. 395:105-109

The effect of a post-growth thermal treatment in two different heterostructures with InAlAsSb as the top layer grown by molecular beam epitaxy lattice-matched to InP, have been studied by diffraction contrast transmission electron microscopy (TEM). 1

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2187c452a786d6e03e5bd7cd69802a7e
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.06.091

Zobrazit plný text záznamu

Structural characterization of InAlAsSb/InGaAs/InP heterostructures for solar cells

Autor: Pedro L. Galindo, Quentin M. Ramasse, D. Hernández-Maldonado, F J Delgado, David L. Sales, J. Pizarro, J.R. Walters, Miriam Herrera, J. Abell, N. Baladés, Sergio I. Molina, Maria Gonzalez, Stephanie Tomasulo

Publikováno v: Applied Surface Science. 395:98-104

In this work, we have characterized by transmission electron microscopy techniques the structural properties of InAlAsSb/InGaAs/InP heterostructures, with target applications in high efficiency solar cells. Previous photoluminescence (PL) 1 analysis

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::567b58098720b9aa18a829bdd58e6654
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.07.094

Zobrazit plný text záznamu

Analysis of Bi Distribution in Epitaxial GaAsBi by Aberration-Corrected HAADF-STEM

Autor: Y. Liu, David L. Sales, Chee Hing Tan, Sergio I. Molina, Miriam Herrera, N. Baladés, Robert D. Richards

Publikováno v: Nanoscale Research Letters
Nanoscale Research Letters, Vol 13, Iss 1, Pp 1-8 (2018)

The Bi content in GaAs/GaAs1 − xBi x /GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy at a substrate temperature close to 340 °C is investigated by aberration-corrected high-angle annular dark-field techniques. The analysis at low magnificat

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0592dfc3ea413684753172bd36e851c9
http://europepmc.org/articles/PMC5918147

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání