Zobrazeno 1 - 10 of 57 pro vyhledávání: '"N. BENSEDDIK"'
1
GaAs1-xNx candidate material for a high efficiency based homojunction solar cell
Autor: null H. Mazari, null K. Ameur, null A. Boumesjed, null N. Benseddik, null Z. Benamara, null N. Benyahya
Publikováno v: Experimental and Theoretical NANOTECHNOLOGY. :257-264
The GaAsN alloy has a great potential in the manufacture of the photovoltaic devices. A simple optimized GaAsN junction can reach conversion efficiency from > 20%, comparable with that reached by the best cells of die CISGS. Because the band gap of G
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::18d1df3fc753021288e85fbe10eb25e7
https://doi.org/10.56053/5.3.257
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Numerical study of AgInTe2 solar cells using SCAPS
Autor: Nawel Benyahya, Zineb Benamara, K. Ameur, Benyamin Belkacemi, H. Mazari, Aicha Boumesjed, Fouzia Boukabrine, N. Benseddik
Publikováno v: Advances in Materials and Processing Technologies. 8:774-782
The ternary (ABX2) semiconductors have wide optical band gaps range and motilities of carrier, has led to their appearance importance device materials, including solar cells of photovoltaic and lig...
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e1651dd461b4f4480f4e4f775cbd37d5
https://doi.org/10.1080/2374068x.2020.1833401
Zobrazit plný text záznamu
4
Simulation of the GaAsN-based Schottky solar cell prototype
Autor: A. Boumesjed, Zineb Benamara, N. Benseddik, S. Kadid, N. Benyahya, K. Ameur, H. Mazari
Publikováno v: International Journal of Ambient Energy. 43:726-731
Dilute nitride semiconductors, such as GaAs1–xNx alloys, have attracted considerable attention due to their unique physical properties and wide range of their possible application in optoelectronic...
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::46b410381c15588ddb523d63b2b723ff
https://doi.org/10.1080/01430750.2019.1670255
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Band Gap Engineering of Cd1-xBexSe Alloys
Autor: Ali Mir, Fethi Benzoudji, Nour Eddine Bouzouira, Mohammed Ameri, Djillali Bensaid, N. Benseddik
Publikováno v: International Journal of Metals. 2014:1-7
The structural and electronic properties of the ternary Cd1-xBexSe alloys have been calculated using the full-potential linear muffin-tin-orbital (FP-LMTO) method based on density functional theory within local density approximation (LDA). The calcul
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d9a8bfa0e57e3b231bd01f5edb8346ee
https://doi.org/10.1155/2014/286393
Zobrazit plný text záznamu
10
Physical Mechanisms Responsible for Electrical Conduction in Pt/GaN Schottky Diodes
Autor: H. MAZARI, K. AMEUR, N. BENSEDDIK, Z. BENAMARA, R. KHELIFI, M. MOSTEFAOUI, N. ZOUGAGH, N. BENYAHYA, R. BECHAREF, G. BASSOU, B. GRUZZA, J. M. BLUET, C. BRU-CHEVALLIER
Publikováno v: Sensors & Transducers, Vol 27, Iss Special Issue, Pp 253-257 (2014)
The current-voltage (I-V) characteristics of Pt/(n.u.d)-GaN and Pt/Si-doped-GaN diodes Schottky are investigated. Based on these measurements, physical mechanisms responsible for electrical conduction have been suggested. The contribution of thermion
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doajarticles::a75120d6697e53c3544fb1dc9ca8274a
http://www.sensorsportal.com/HTML/DIGEST/may_2014/Special_issue/P_SI_510.pdf
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje