Zobrazeno 1 - 10
of 972
pro vyhledávání: '"N. Rochat"'
Autor:
P. Fernandes Paes Pinto Rocha, L. Vauche, B. Mohamad, W. Vandendaele, E. Martinez, M. Veillerot, T. Spelta, N. Rochat, R. Gwoziecki, B. Salem, V. Sousa
Publikováno v:
Power Electronic Devices and Components, Vol 4, Iss , Pp 100033- (2023)
MOS High Electron Mobility Transistors (MOS-HEMTs) may suffer from VTH instability and hysteresis reducing device performances. Post-Deposition Anneal (PDA) of the Atomic-Layer Deposited (ALD) dielectric has the potential to increase MOS-HEMT perform
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/34ea3db5a4944db2be5e957ce4f3dcfc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. David, J. Roque, N. Rochat, N. Bernier, L. Piot, R. Alcotte, T. Cerba, M. Martin, J. Moeyaert, Y. Bogumilowizc, S. Arnaud, F. Bertin, F. Bassani, T. Baron
Publikováno v:
APL Materials, Vol 4, Iss 5, Pp 056102-056102-6 (2016)
Structural and optical properties of InGaAs quantum well fins (QWFs) selectively grown on Si using the aspect ratio trapping (ART) method in 200 nm deep SiO2 trenches are studied. A new method combining cathodoluminescence, transmission electron micr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f189a257dbdf4a4b8133f8f6b1b4c9f5
Autor:
C. Masante, J. de Vecchy, F. Mazen, F. Milesi, L. Di Cioccio, J. Pernot, F. Lloret, D. Araujo, J.C. Pinero, N. Rochat, F. Pierre, F. Servant, J. Widiez
Publikováno v:
Diamond and Related Materials
Diamond and Related Materials, 2022, 126, pp.109085. ⟨10.1016/j.diamond.2022.109085⟩
Diamond and Related Materials, 2022, 126, pp.109085. ⟨10.1016/j.diamond.2022.109085⟩
International audience; The effect of H$^+$ implantation and annealing of diamond (100) monocrystalline substrates has been studied by ToFSIMS,cathodoluminescence, transmission spectroscopy and TEM. Blistering conditions suitable for the Smart Cut$^{
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::70affd3371ee9448f20010637dba3f09
https://cea.hal.science/cea-03714349
https://cea.hal.science/cea-03714349
Autor:
L. Prazakova, E. Nolot, E. Martinez, D. Rouchon, N. Rochat, C. Sabbione, J. Li, D. Eichert, G. Pepponi, M. Bernard, G. Navarro
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 132:205102
Nitrogen doping in chalcogenide materials represents a promising way for the improvement of material properties. Indeed, N doping in GeSbTe phase-change alloys have demonstrated to greatly enhance thermal stability of their amorphous phase, necessary
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9e71787b33377fd6dc8ed9a189474912
https://doi.org/10.1063/5.0117596
https://doi.org/10.1063/5.0117596
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.