Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"N-buried layer (NBL)"'
Autor:
Zi-Hong Jiang, Ming-Dou Ker
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 516-524 (2022)
As the high-voltage (HV) and low-voltage (LV) circuits are integrated together in a common silicon substrate, the parasitic latch-up path between neighboring HV and LV circuits with limited spacing in layout would be triggered into latch-up state to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/611b108235154981871b5f39b9f69913
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.