Zobrazeno 1 - 10
of 95
pro vyhledávání: '"N Anbuselvan"'
Publikováno v:
In Transportation Engineering December 2024 18
Autor:
M, Velmurugan P., Vijayaprabhakaran, Krishnan, T, Devika P., N, Anbuselvan, S, Venkatesan, Meer, Mohammad Suhail
Publikováno v:
In Journal of Hazardous Materials Advances November 2024 16
Publikováno v:
In Marine Pollution Bulletin June 2018 131 Part A:712-726
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2023 7th International Conference on Computing Methodologies and Communication (ICCMC).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cec8938b2b77d84cbb70fa91f50582bc
https://doi.org/10.1109/iccmc56507.2023.10083604
https://doi.org/10.1109/iccmc56507.2023.10083604
Publikováno v:
2023 Third International Conference on Artificial Intelligence and Smart Energy (ICAIS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8626ecc97ecc8f5945daf42d23241b4e
https://doi.org/10.1109/icais56108.2023.10073842
https://doi.org/10.1109/icais56108.2023.10073842
Publikováno v:
2022 14th International Conference on Mathematics, Actuarial Science, Computer Science and Statistics (MACS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d85bb5249e6b57e449352afb10bb6ffe
https://doi.org/10.1109/macs56771.2022.10022995
https://doi.org/10.1109/macs56771.2022.10022995
Autor:
Tahsini, A. M.1 (AUTHOR) am_tahsini@iust.ac.ir, K. K. N., Anbuselvan2 (AUTHOR)
Publikováno v:
High Temperature. Feb2022, Vol. 60 Issue 1, p140-142. 3p.
Autor:
P. Anandan, N. Anbuselvan
Publikováno v:
Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 18:1282-1286
The 2-Dimensional breakdown characteristics analysis in InAlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) is implemented through including of donor and acceptor atoms inside the barrier layer. Thereby dependences of the relative permittivity εr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1a51fbcb33b2f10263996ba9cb5ab59
https://doi.org/10.1166/jctn.2021.9386
https://doi.org/10.1166/jctn.2021.9386