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pro vyhledávání: '"Níveis profundos"'
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Deep level transient spectroscopy was employed to determine the electrical properties of defects induced in metalorganic chemical-vapor deposition grown n-type and p-type GaAs during proton bombardment. Thermal stability of these defects was investig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a8f9620530cf1bbb823f72b669118aad
https://doi.org/10.1063/1.1554761
https://doi.org/10.1063/1.1554761
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
O processo de isolação elétrica por implantação de prótons é estudado para os casos do semicondutor GaAs e de estruturas DBR - Distributed Bragg Reflectors - de AlGaAs. A obtenção da energia crítica de implantação em camadas DBR de dispos
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/14971
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
No presente trabalho estudamos de forma sistemática a difusão de impurezas em filmes poliméricos usando as técnicas de implantação iônica e análise por feixe de íons, retroespalhamento Rutherford e de perfil de profundidade por nêutrons. Co
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/3985
Autor:
Alves, Horacio Wagner Leite
Neste trabalho estudamos a estrutura eletrônica de defeitos pontuais em diamante, os quais introduzem níveis profundos na faixa proibida deste material. Utilizamos o modelo de aglomerado molecular dentro de dois formalismos: o Método do Espalhame
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
The evolution of sheet resistance Rs of n-type and p-type conductive AlxGa12xAs layers (x=0.3, 0.6, and 1.0) during proton irradiation was investigated. The threshold dose Dth to convert a conductive layer to a highly resistive one is slightly differ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::9a5394457c2bd3d57ad7f15ef9cd3da3
Autor:
Horacio Wagner Leite Alves
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
Neste trabalho estudamos a estrutura eletrônica de defeitos pontuais em diamante, os quais introduzem níveis profundos na faixa proibida deste material. Utilizamos o modelo de aglomerado molecular dentro de dois formalismos: o Método do Espalhame