Zobrazeno 1 - 10
of 135
pro vyhledávání: '"N, von den Driesch"'
Autor:
P. Zaumseil, Y. Hou, M. A. Schubert, N. von den Driesch, D. Stange, D. Rainko, M. Virgilio, D. Buca, G. Capellini
Publikováno v:
APL Materials, Vol 6, Iss 7, Pp 076108-076108-10 (2018)
We report on the direct observation of lattice relaxation and Sn segregation of GeSn/Ge/Si heterostructures under annealing. We investigated strained and partially relaxed epi-layers with Sn content in the 5 at. %-12 at. % range. In relaxed samples
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/48abe2f532214873b887f1227b697201
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dan Buca, N. von den Driesch, G.J. Verbiest, Christoph Stampfer, M. Goldsche, Tymofiy Khodkov, Jens Sonntag
Publikováno v:
2D Materials, 8(3)
2D Materials 8(3), 035039-(2021). doi:10.1088/2053-1583/ac005e
2D Materials 8(3), 035039 (2021). doi:10.1088/2053-1583/ac005e
2D Materials 8(3), 035039-(2021). doi:10.1088/2053-1583/ac005e
2D Materials 8(3), 035039 (2021). doi:10.1088/2053-1583/ac005e
Coupled nanomechanical resonators are interesting for both fundamental studies and practical applications as they offer rich and tunable oscillation dynamics. At present, the mechanical coupling in such systems is often mediated by a fixed geometry,
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 143:62-68
In this paper we present a silicon tunnel FET based on line-tunneling to achieve better subthreshold performance. The fabricated device shows an on-current of Ion = 2.55 × 10−7 A/µm at Vds = Von = Vgs − Voff = −0.5 V for an Ioff = 1 nA/µm an
Autor:
Dan Buca, J.M. Hartmann, Marvin Frauenrath, Emmanuel Nolot, Marc Veillerot, V. Kiyek, N. von den Driesch
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 10:085006
Autor:
N. von den Driesch, Zoran Ikonic, Isabelle Sagnes, Anas Elbaz, Detlev Grützmacher, M. El Kurdi, Sébastien Sauvage, Dan Buca, Philippe Boucaud, Xavier Checoury, J.M. Hartmann, Konstantinos Pantzas, Gilles Patriarche, Frederic Boeuf, Etienne Herth
Publikováno v:
2019 IEEE 16th International Conference on Group IV Photonics (GFP).
GeSn is proven as a good candidate to achieve CMOS-compatible laser sources on silicon. Lasing demonstrations in this alloy were based on directness of the band structure, this directness being increased with increasing the Sn content above 8 at.%. T
Gate stack and Ni(SiGeSn) metal contacts formation on low bandgap strained (Si)Ge(Sn) semiconductors
Autor:
J.M. Hartmann, Peter Zaumseil, A. T. Tiedemann, Dan Buca, Uwe Breuer, N. von den Driesch, S. Mantl, C. Schulte-Braucks, Q. T. Zhao
Publikováno v:
2018 18th International Workshop on Junction Technology (IWJT).
GeSn is a promising material to make the most of two worlds [1]: (i) its direct bandgap for high Sn contents yields high-mobility and decent optical properties; (ii) as a CMOS compatible material, it benefits from the maturity of group IV semiconduct