Zobrazeno 1 - 10
of 207
pro vyhledávání: '"N, Mikhaĭlov"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yu. N. Mikhaĭlov, V. A. Kazantsev
Publikováno v:
Physics of the Solid State. 52:952-956
An energy analysis of small-angle neutron scattering in the Zn0.60Ni0.40Fe2O4 ferrite nonirradiated and irradiated by fast neutrons has been performed. It has been revealed that the inelastic neutron scattering in the initial ferrite below TC is due
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. N. Mikhaĭlov, David Tetelbaum, I. S. Rassolova, S. A. Filippov, E. S. Demidov, V. K. Vasil’ev, O. N. Gorshkov, M. O. Marychev
Publikováno v:
Physics of the Solid State. 50:1565-1569
The effect of combined doping by shallow donor and acceptor impurities on boosting the quantum yield of porous-silicon photoluminescence (PL) in the visible and near IR range was studied using phosphorus and boron ion implantation. Nonuniform doping
Publikováno v:
Semiconductors. 42:772-776
CdTe/Hg1 − xCdxTe heterostructures are studied. In the structures, CdTe is used as a passivating layer deposited as a polycrystal or single crystal on a single-crystal Hg1 − xCdxTe film. The film and a passivating layer were obtained in a single
Autor:
G. Yu. Sidorov, D. G. Ikusov, S. A. Dvoretskiĭ, Yu. G. Sidorov, N. N. Mikhaĭlov, V. S. Varavin
Publikováno v:
Semiconductors. 42:651-654
CdxHg1 − xTe films with x ≈ 0.22 and thickness of ∼10 µm have been grown by molecular-beam epitaxy on gallium arsenide substrates and doped in situ with arsenic. Activation annealing of doped films provided p-type conduction with a hole densit
Autor:
V. A. Kazantsev, Yu. N. Mikhaĭlov
Publikováno v:
Crystallography Reports. 53:9-13
The experimental results on the concentration and temperature behavior of longwave (both transverse and longitudinal) static displacements of atoms, as well as the data on the elastic constants (derived from neutron and ultrasonic measurements) of γ
Autor:
D. I. Stasel’ko, V. N. Mikhaĭlov
Publikováno v:
Optics and Spectroscopy. 102:885-889
Early stages of formation of few-atom clusters of photolytic silver in AgBr nanocrystals are studied using the pulsed dephotolysis technique. It is shown that dephotolysis is characterized by a clearly pronounced dependence on the pulse duration of n