Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"Mynbaeva, M. G."'
Autor:
Myasoedov, A. V., Mynbaeva, M. G., Lebedev, S. P., Priobrazhenskii, S. Iu., Amelchuk, D. G., Kirilenko, D. A., Lebedev, A. A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/21/2024, Vol. 136 Issue 11, p1-9, 9p
Autor:
Mynbaeva, M. G.1 (AUTHOR) mgm@mail.ioffe.ru, Amelchuk, D. G.1 (AUTHOR), Smirnov, A. N.1 (AUTHOR), Nikitina, I. P.1 (AUTHOR), Lebedev, S. P.1 (AUTHOR), Davydov, V. Yu.1 (AUTHOR), Lebedev, A. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Jun2023, Vol. 57 Issue 6, p305-309. 5p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mynbaeva, M. G.1 (AUTHOR) mgm@mail.ioffe.ru, Smirnov, A. N.1 (AUTHOR), Mynbaev, K. D.1,2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2021, Vol. 55 Issue 7, p617-620. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Lebedev A. A., null Davydov V. Yu., null Lebedev S. P., null Nikitina I. P., null Smirnov A. N., null Amelchuk D. G., null Mynbaeva M. G.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:872
An approach of direct bonding of SiC wafers of differing polytypes has been implemented in order to create a template for cubic 3C-SiC homoepitaxy. Heteroepitaxial 3C-SiC layers grown by chemical vapor deposition were transferred onto a hexagonal 6H-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::633e9a0317f2aca207e3faaed0528c2d
https://doi.org/10.21883/sc.2022.11.54965.9953
https://doi.org/10.21883/sc.2022.11.54965.9953
Autor:
null Lebedev A. A., null Mynbaeva M. G., null Plotnikov A. V., null Priobrazhenskii S. Iu., null Lebedev S. P.
Publikováno v:
Technical Physics. 67:1539
The simulation results of the temperature distribution in the growth area of graphene layers obtained by the method of thermal decomposition of the silicon carbide surface substrates in setup with induction heating are presented. The heating parametr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e7f74c6eac3f1b98e8167b7b5a45c876
https://doi.org/10.21883/tp.2022.12.55187.176-22
https://doi.org/10.21883/tp.2022.12.55187.176-22
Autor:
Mynbaeva, M. G., Lavrent’ev, A. A., Kuznetsov, N. I., Kuznetsov, A. N., Mynbaev, K. D., Lebedev, A. A.
Publikováno v:
Semiconductors. May2003, Vol. 37 Issue 5, p594. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.