Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"Mutas, S."'
Publikováno v:
In Ultramicroscopy 2011 111(6):546-551
Autor:
Shariq, A., Mutas, S., Wedderhoff, K., Klein, C., Hortenbach, H., Teichert, S., Kücher, P., Gerstl, S.S.A.
Publikováno v:
In Ultramicroscopy 2009 109(5):472-479
Autor:
Kelwing, T., Naumann, A., Trentzsch, M., Trui, B., Herrmann, L., Mutas, S., Graetsch, F., Carter, R., Stephan, R., Kücher, P., Hansch, W.
For the first time, HfZrO4 dielectrics deposited with metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) as well as atomic layer deposition (ALD) have been investigated as high-k gate dielectric for 32-nm high-performance logic SOI complementary metal-o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::b71ed1470dc017a4dc83135dd29d5032
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/222812
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/222812
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2012 IEEE International Conference on IC Design & Technology; 1/ 1/2012, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microscopy & Microanalysis; Jul2011 Supplement, Vol. 17 Issue S2, p730-731, 2p
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science & Engineering; 2012, Vol. 41 Issue 1, p1-1, 1p