Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Musolino, Mattia"'
Autor:
van Treeck, David, Ledig, Johannes, Scholz, Gregor, Lähnemann, Jonas, Musolino, Mattia, Tahraoui, Abbes, Brandt, Oliver, Waag, Andreas, Riechert, Henning, Geelhaar, Lutz
Publikováno v:
Beilstein J. Nanotechnol. 10, 1177 (2019)
We present the combined analysis of the electroluminescence (EL) as well as the current-voltage (I-V) behavior of single, freestanding (In,Ga)N/GaN nanowire (NW) light-emitting diodes (LEDs) in an unprocessed, self-assembled ensemble grown by molecul
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.08863
Autor:
Musolino, Mattia, Carria, Egidio, Crippa, Danilo, Preti, Silvio, Azadmand, Mani, Mauceri, Marco, Isacson, Mathias, Calabretta, Michele, Messina, Angelo
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 April 2023 274
Autor:
Musolino, Mattia
Diese Arbeit gibt einen tiefgehenden Einblick in verschiedene Aspekte von auf (In,Ga)N/GaN Heterostrukturen basierenden Leuchtdioden (LEDs), mittels Molekularstrahlepitaxie entlang der Achse von Nanodrähten (NWs) auf Si Substraten gewachsen. Insbeso
Externí odkaz:
http://edoc.hu-berlin.de/18452/18061
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Musolino, Mattia, Xu, Xueping, Wang, Hui, Rengarajan, Varathajan, Zwieback, Ilya, Ruland, Gary, Crippa, Danilo, Mauceri, Marco, Calabretta, Michele, Messina, Angelo
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 15 November 2021 135
Autor:
Musolino, Mattia, Tahraoui, Abbes, Fernández-Garrido, Sergio, Brandt, Oliver, Trampert, Achim, Geelhaar, Lutz, Riechert, Henning
Publikováno v:
Nanotechnology 26, 085605 (2015)
AlN layers with thicknesses between 2 and 14 nm were grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy. The effect of the AlN layer thickness on the morphology and nucleation time of spontaneously formed GaN nanowires (NWs) was investigated by sc
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1410.7546
Autor:
Musolino, Mattia, Tahraoui, Abbes, Limbach, Friederich, Lähnemann, Jonas, Jahn, Uwe, Brandt, Oliver, Geelhaar, Lutz, Riechert, Henning
Publikováno v:
Applied Physics Letters 105, 083505 (2014)
We investigate the effect of the p-type top contact on the optoelectronic characteristics of light emitting diodes (LEDs) based on (In,Ga)N/GaN nanowire (NW) ensembles grown by molecular beam epitaxy on Si substrates. We compare devices fabricated wi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1410.3709
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.