Zobrazeno 1 - 10
of 327
pro vyhledávání: '"Musolino, M."'
Autor:
Zettler, J. K., Hauswald, C., Corfdir, P., Musolino, M., Geelhaar, L., Riechert, H., Brandt, O., Fernández-Garrido, S.
Publikováno v:
Cryst. Growth Des. 2015, 15, 8, 4104
In molecular beam epitaxy, the spontaneous formation of GaN nanowires on Si(111) substrates at elevated temperatures is limited by the long incubation time that precedes nanowire nucleation. In this work, we present three unconventional growth approa
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.00583
Autor:
Musolino, M., Sacconi, F., Tahraoui, A., Panetta, F., De Santi, C., Meneghini, M., Zanoni, E., Geelhaar, L.
In the experimental electroluminescence (EL) spectra of light-emitting diodes (LEDs) based on N-polar (In,Ga)N/GaN nanowires (NWs), we observed a double peak structure. The relative intensity of the two peaks evolves in a peculiar way with injected c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1704.01569
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Blasch, J., van der Grijp, N.M., Petrovics, D., Palm, J., Bocken, N., Darby, S.J., Barnes, J., Hansen, P., Kamin, T., Golob, U., Andor, M., Sommer, S., Nicita, A., Musolino, M., Mlinarič, M.
Publikováno v:
In Energy Research & Social Science December 2021 82
Autor:
Jahn, U., Musolino, M., Lähnemann, J., Dogan, P., Garrido, S. Fernández, Wang, J. F., Xu, K., Cai, D., Bian, L. F., Gong, X. J., Yang, H.
Publikováno v:
Semicond. Sci. Technol. 31, 065018 (2016)
Several ten $\mu$m GaN have been deposited on a silicon substrate using a two-step hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process. The substrates have been covered by AlN layers and GaN nanostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. Duri
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1605.03089
Autor:
Musolino, M., van Treeck, D., Tahraoui, A., Scarparo, L., De Santi, C., Meneghini, M., Zanoni, E., Geelhaar, L., Riechert, H.
We investigated the origin of the high reverse leakage current in light emitting diodes (LEDs) based on (In,Ga)N/GaN nanowire (NW) ensembles grown by molecular beam epitaxy on Si substrates. To this end, capacitance deep level transient spectroscopy
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1511.04044
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.