Charge transport in 1D silicon devices via Monte Carlo simulation and Boltzmann‐Poisson solver

Autor: Majorana, A., Muscato, O., Milazzo, C.

Publikováno v: COMPEL -The international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, 2004, Vol. 23, Issue 2, pp. 410-425.

Externí odkaz: http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/03321640410510578

Hydrodynamic simulation of a n − n − n silicon nanowire.

Autor: Muscato, O.¹ muscato@dmi.unict.it, Di Stefano, V.¹ vdistefano@dmi.unict.it

Publikováno v: Continuum Mechanics & Thermodynamics. Mar2014, Vol. 26 Issue 2, p197-205. 9p.

An Energy Transport Model Describing Heat Generation and Conduction in Silicon Semiconductors.

Autor: Muscato, O.¹ muscato@dmi.unict.it, Di Stefano, V.¹ vdistefano@dmi.unict.it

Publikováno v: Journal of Statistical Physics. Jul2011, Vol. 144 Issue 1, p171-197. 27p. 1 Chart, 3 Graphs.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.