Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"Murphy‐Armando, Felipe"'
Autor:
Sewell, Kevin, Murphy-Armando, Felipe
We use first-principles electronic-structure theory to determine the intra- and inter-valley electron-alloy scattering parameters in n-type GeSn alloys. These parameters are used to determine the alloy scattering contributions to the n-type electron
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.14478
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
O'Mahony, Shane M., Murphy-Armando, Felipe, Murray, Éamonn D., Querales-Flores, José D., Savić, Ivana, Fahy, Stephen
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 123, 087401 (2019)
We present a first-principles method for the calculation of the temperature-dependent relaxation of symmetry-breaking atomic driving forces in photoexcited systems. We calculate the phonon-assisted decay of the photoexcited force on the low-symmetry
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.00744
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 98, 085201 (2018)
We calculate the uniaxial and dilatation acoustic deformation potentials, $\Xi^{\text{L}}_{u}$ and $\Xi^{\text{L}}_{d}$, of the conduction band L valleys of PbTe from first principles, using the local density approximation (LDA) and hybrid functional
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1805.10320
Strain is commonly used in metal-oxide-semiconductor technologies to boost on-state performance. This booster has been in production for at least a decade. Despite this, a systematic study of the impact of strain on off-state leakage current has been
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1712.03011
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Spindlberger, Lukas, Aberl, Johannes, Murphy Armando, Felipe, Fromherz, Thomas, Brehm, Moritz
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts; 2024, Vol. MA2024-01 Issue 1, p1311-1311, 1p
First-principles electronic structure methods are used to find the rates of inelastic intravalley and intervalley n-type carrier scattering in Si1-xGex alloys. Scattering parameters for all relevant Delta and L intra- and intervalley scattering are c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1535::0213683a95eb80b56359d004295052f0
https://hdl.handle.net/10468/2673
https://hdl.handle.net/10468/2673
The p-type carrier scattering rate due to alloy disorder in Si1-xGex alloys is obtained from first principles. The required alloy scattering matrix elements are calculated from the energy splitting of the valence bands, which arise when one average h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1535::77d333bae4400bae5fba5f5ce95179a9
https://hdl.handle.net/10468/2669
https://hdl.handle.net/10468/2669