Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"Muralidhar, Pranesh"'
Autor:
Daniello, Robert, Muralidhar, Pranesh, Carron, Nicholas, Greene, Mark, Rothstein, Jonathan P.
Publikováno v:
In Journal of Fluids and Structures October 2013 42:358-368
Autor:
Muralidhar, Pranesh
Publikováno v:
Masters Theses 1911 - February 2014
Superhydrophobic surfaces are a class of surfaces that have a microscale roughness imposed on an already hydrophobic surface, akin to a lotus leaf. These surfaces have been shown to produce significant drag reduction for both laminar and turbulent fl
Externí odkaz:
https://scholarworks.umass.edu/theses/934
https://scholarworks.umass.edu/context/theses/article/1999/viewcontent/auto_convert.pdf
https://scholarworks.umass.edu/context/theses/article/1999/viewcontent/auto_convert.pdf
Autor:
Guerrero, Douglas, Amblard, Gilles R., Muralidhar, Pranesh, Ramirez, Antonio, Wu, Aiwen, Chen, Lawrence, Liu, Yamin, Shen, Luxi, Blacksmith, Robert, Wong, Sabrina, Melanson, Matthew, Rudenko, Andrey
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; May 2023, Vol. 12498 Issue: 1 p124981L-124981L-7, 1124837p
Autor:
Muralidhar, Pranesh, Ramirez, Antonio, Wu, Aiwen, Chen, Lawrence, Liu, Yamin, Shen, Luxi, Blacksmith, Robert, Wong, Sabrina, Melanson, Matthew, Rudenko, Andrey
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 4/11/2023, Vol. 12498, p124981L-124981L-7, 1p
Autor:
Garg, Niti, Helal, Philippe, Muralidhar, Pranesh, Crown, Stephen, Sih, Vincent, Waite, Stephanie, Scott, Silas
Publikováno v:
2016 27th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC); 2016, p344-349, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; September 2016, Vol. 255 Issue: 1 p168-171, 4p
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; September 2016, Vol. 255 Issue: 1 p105-110, 6p
Publikováno v:
2015 26th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC); 2015, p372-374, 3p