Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"Murali, Kota V. R. M."'
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 113, 064506, 2013
We present a TCAD compatible multiscale model of phonon-assisted band-to-band tunneling (BTBT) in semiconductors, that incorporates the non-parabolic nature of complex bands within the bandgap of the material. This model is shown capture the measured
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1407.6096
Publikováno v:
J. Phys.: Condens. Matter. vol. 24, no. 5, pp. 055504, 2012
Complex bands $\vec{k}^{\perp}(E)$ in a semiconductor crystal, along a general direction $\vec{n}$, can be computed by casting Schr\"odinger's equation as a generalized polynomial eigenvalue problem. When working with primitive lattice vectors, the o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1407.6093
Publikováno v:
IEEE IEDM Tech. Dig., 736-739, 2010
In this paper, we propose a novel S/D engineering for dual-gated Bilayer Graphene (BLG) Field Effect Transistor (FET) using doped semiconductors (with a bandgap) as source and drain to obtain unipolar complementary transistors. To simulate the device
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1101.3123
In this work, using self-consistent tight-binding calculations, for the first time, we show that a direct to indirect bandgap transition is possible in an armchair graphene nanoribbon by the application of an external bias along the width of the ribb
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1006.5119
Publikováno v:
Applied Physics Letters, 96, 123504 (2010).
In this work, we investigate the intrinsic limits of subthreshold slope in a dual gated bilayer graphene transistor using a coupled self-consistent Poisson-bandstructure solver. We benchmark the solver by matching the bias dependent bandgap results o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1003.5284
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Feb2013, Vol. 113 Issue 6, p064506, 9p, 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lanzillo, Nicholas A., Bhosale, Prasad S., Yang, Chih-Chao, Spooner, Terry, Standaert, Theodorus, Bonilla, Griselda, Restrepo, Oscar D., Cruz-Silva, Eduardo, Youp Kim, Byoung, Child, Craig, Murali, Kota V. R. M.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 4/16/2018, Vol. 112 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.