Zobrazeno 1 - 10
of 188
pro vyhledávání: '"Multiple bit upset"'
Publikováno v:
Sensors, Vol 24, Iss 4, p 1065 (2024)
In the pursuit of enhancing the technological maturity of innovative magnetic sensing techniques, opportunities presented by in-orbit platforms (IOD/IOV experiments) provide a means to evaluate their in-flight capabilities. The Magnetic Experiments f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d8f7ff2a3e4e4a2787340445d9b23991
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability August 2020 111
Autor:
Wang, Zibo a, Chen, Wei a, b, Yao, Zhibin b, Zhang, Fengqi b, Luo, Yinhong b, ⁎, Tang, Xiaobin a, ⁎, Guo, Xiaoqiang b, Ding, Lili b, Peng, Cong a
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability April 2020 107
Autor:
Farbeh, Hamed a, ∗, Monazzah, Amir Mahdi Hosseini b
Publikováno v:
In Microelectronics Journal August 2019 90:123-132
Autor:
Goerl, Roger C. a, Villa, Paulo R.C. b, Poehls, Letícia B. a, Bezerra, Eduardo A. b, c, Vargas, Fabian L. a, ⁎
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:214-218
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 68:2810-2817
On-detector digital electronics in high-energy physics (HEP) experiments is increasingly being implemented by means of static random access memory (SRAM)-based field programmable gate arrays (FPGAs), due to their reconfigurability, fast data processi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6bb2e529e5846be3912f62a9020c2368
https://doi.org/10.1109/tns.2021.3127446
https://doi.org/10.1109/tns.2021.3127446
Autor:
Eran Mazal-Tov, Roberto Senesi, Christopher D. Frost, Eitan Keren, Carla Andreani, Enrico Preziosi, Nir M. Yitzhak, Tzach Hadas, Uzi Zangi, Carlo Cazzaniga, A. Haran, D. David, Nati Refaeli
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 68:2598-2608
The static random access memory (SRAM) of an ultralow power system-on-chip (SoC) was tested for single-event upsets (SEUs) using alpha particles and neutron beam sources. The measurements are compared to those of an SRAM-based field-programmable gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c9608f51d3170a01db5d405f631af9e7
https://doi.org/10.1109/tns.2021.3112622
https://doi.org/10.1109/tns.2021.3112622
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.