Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Multi-step JTE"'
Autor:
Xinyu Wang, Ming Li, Fanpeng Zeng, Bin Zhang, Lei Ge, Yingxin Cui, Mingsheng Xu, Yu Zhong, Kuan Yew Cheong, Xiaobo Hu, Xiangang Xu, Jisheng Han
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 62, Iss , Pp 107799- (2024)
This paper presents a structure for designing Junction Termination Extension (JTE) in Silicon Carbide (SiC) power devices, particularly for Schottky Barrier Diodes (SBD). The P-type island composite multi-step JTE configuration has been developed by
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4e042c12f26d4762953a11bc7ce8cf73
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.