Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Mukherjee, Shubhajit"'
Physical Mechanisms Affecting Hot Carrier-Induced semi-ON State Degradation in Gallium Nitride HEMTs
Autor:
Mukherjee, Shubhajit
Gallium Nitride or GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) is currently the most promising device technology in several key military and civilian applications due to excellent high-power as well as high-frequency performance. Even though
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability March 2014 54(3):570-574
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mukherjee, Shubhajit, Puzyrev, Yevgeny, Hinckley, John, Schrimpf, Ronald D., Fleetwood, Daniel M., Singh, Jasprit, Pantelides, Sokrates T.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); May2013, Vol. 10 Issue 5, p794-798, 5p