Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Influence of TiN Metal Gate on Si/SiO2 Surface Roughness in N and PMOSFETs

Autor: Thévenod M. Cassé M. Mouis G. Reimbold F. Fillot B. Guillaumot F. Boulanger, L.

Publikováno v: Influence of TiN Metal Gate on Si/SiO2 Surface Roughness in N and PMOSFETs
International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS'2005
International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS'2005, 2005, pp.XX

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9ef1bbafe1d6a5c568bb699d42f5a170
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00146549

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.