Numerical Study of InGaN based Photovoltaic by SCAPs Simulation

Autor: Boudaoud, L., Khelifi, S., Mostefaoui, M., Rouabhia, A.K., Sahouane, N.

Publikováno v: In Energy Procedia August 2015 74:745-751

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Characterization and modeling of Schottky diodes based on bulk GaN unintentionally doped

Autor: Khelifi, R., Mazari, H., Mansouri, S., Benamara, Z., Mostefaoui, M., Ameur, K., Benseddik, N., Marie, Philippe, Ruterana, Pierre, Monnet, Isabelle, Bluet, Jean-Marie, Bru-Chevallier, C.

Publikováno v: Sensors & Transducers Journal
Sensors & Transducers Journal, International Frequency Sensor Association (IFSA), 2014, 27, pp.217
Sensors & Transducers Journal, 2014, 27, pp.217
Sensors & Transducers, Vol 27, Iss Special Issue, Pp 217-220 (2014)

International audience; In this paper, we have studied Au/n-GaN Schottky diodes. The substrates are realized on bulk GaN.The current-voltage (I-V) and capacitance–voltage (C–V) of Au/n-GaN structures were investigated at roomtemperature. The elec

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5bf55da425cc8301fe9cfd8049943bee
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01149661

Sur la linéarisation des graphes d'événements temporisés discrets avec multiplieurs dans l'algèbre (min,+)

Autor: Hamaci, Samir, Boimond, Jean-Louis, Lahaye, Sébastien, Mostefaoui, M.

Publikováno v: e-STA Sciences et Technologies de l’Automatique
e-STA Sciences et Technologies de l’Automatique, SEE-Société de l'Electricité, de l'Electronique et des Technologies de l'Information et de la Communication 2004, 1 (3)

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a2937c1a011dc2ae1a1d4ada31c6f01d
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00860636