Zobrazeno 1 - 10
of 2 760
pro vyhledávání: '"Mosfet circuits"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Randomization of the trap state of defects present at the gate Si-SiO$_2$ interface of MOSFET is responsible for the low-frequency noise phenomena such as Random Telegraph Signal (RTS), burst, and 1/\textit{f} noise. In a previous work, theoretical m
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1704.00876
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 420-431 (2018)
In MOS transistors, low-frequency noise phenomena such as random telegraph signal (RTS), burst, and flicker or 1/f noise are usually attributed to the random nature of the trap state of defects present at the gate Si-SiO2 interface. In a previous wor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7b15b4439fe64a069c2f3cf051405ab1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Michael Olorunfunmi Kolawole
Publikováno v:
Electronics ISBN: 9781003052913
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f8be55f87b1c3a8fef8d2dbf4428821f
https://doi.org/10.1201/9781003052913-5
https://doi.org/10.1201/9781003052913-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Daghighi
Publikováno v:
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Vol 9, Iss 3, Pp 143-149 (2013)
In this article, a novel concept is introduced to improve the radio frequency (RF) linearity of partially-depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) MOSFET circuits. The transition due to the non-zero body resistance (RBody) in output conductance of PD
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4956a18e6d9a44ba9ae0469a05c26277
Autor:
Harald Pretl, Matthias Eberlein
We present a summary talk of our compendium paper of two-metal-oxide-semiconductor (MOS)-transistor circuits, which span the range from simple standard configurations to ingenious arrangements, and are a testament to the versatility of the MOSFET. Us
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::13c78f536b541b430e3f49c517c229ba