Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"Moser, Neil"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Neal, Adam T., Mou, Shin, Rafique, Subrina, Zhao, Hongping, Ahmadi, Elaheh, Speck, James S., Stevens, Kevin T., Blevins, John D., Thomson, Darren B., Moser, Neil, Chabak, Kelson D., Jessen, Gregg H.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 113, 062101 (2018)
We have studied the properties of Si, Ge shallow donors and Fe, Mg deep acceptors in $\beta$-Ga2O3 through temperature dependent van der Pauw and Hall effect measurements of samples grown by a variety of methods, including edge-defined film-fed (EFG)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1809.01230
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hickman, Austin, Chaudhuri, Reet, Li, Lei, Nomoto, Kazuki, Moser, Neil, Elliott, Michael, Guidry, Matthew, Shinohara, Keisuke, Hwang, James C. M., Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2023, Vol. 220 Issue 16, p1-4, 4p
Autor:
MOSER, NEIL
Publikováno v:
Alternatives Journal, 2015 Jan 01. 41(3), 44-45.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/45035123
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dryden, Daniel M., Liddy, Kyle J., Islam, Ahmad E., Williams, Jeremiah C., Walker, Dennis E., Hendricks, Nolan S., Moser, Neil A., Arias-Purdue, Andrea, Sepelak, Nicholas P., DeLello, Kursti, Chabak, Kelson D., Green, Andrew J.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; Aug2022, Vol. 43 Issue 8, p1307-1310, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Islam, Ahmad Ehteshamul, Zhang, Chenyu, DeLello, Kursti, Muller, David A., Leedy, Kevin D., Ganguli, Sabyasachi, Moser, Neil A., Kahler, Rachel, Williams, Jeremiah C., Dryden, Daniel M., Tetlak, Stephen, Liddy, Kyle J., Green, Andrew J., Chabak, Kelson D.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; October 2022, Vol. 69 Issue: 10 p5656-5663, 8p