Zobrazeno 1 - 10
of 666
pro vyhledávání: '"Morimura, T."'
Autor:
Baba, K., Hatada, R., Flege, S., Ensinger, W., Shibata, Y., Nakashima, J., Sawase, T., Morimura, T.
Publikováno v:
In Vacuum March 2013 89:179-184
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2007 515(22):8293-8296
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Nuclear Materials 2001 299(1):83-89
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Makihara, A., Yokose, T., Tsuchiya, Y., Tani, K., Morimura, T., Abe, H., Shindo, H., Ebihara, T., Maru, A., Morikawa, K., Kuboyama, S., Tamura, T.
Publikováno v:
宇宙航空研究開発機構特別資料 = JAXA Special Publication. :123-126
Redundant pairs of SOI transistors have been utilized as a Radiation Hardening-By-Design technique and their applicability was subsequently extended for analog circuits. In this paper, the principle of the SET free inverter (SFI) operation is extende
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::29e955e24500aee3491bca9a592c9c52
http://id.nii.ac.jp/1696/00004314/
http://id.nii.ac.jp/1696/00004314/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.