Zobrazeno 1 - 10 of 35 pro vyhledávání: '"Morehead, F. F."'
1
Akademický článek
Shallow junctions by high-dose As implants in Si: experiments and modeling.
Autor: Tsai, M. Y., Morehead, F. F., Baglin, J. E. E., Michel, A. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1980, Vol. 51 Issue 6, p3230-3235, 6p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
An elementary paradigm for nonequilibrium diffusion.
Autor: Lever, R. F., Morehead, F. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1993, Vol. 73 Issue 3, p1139, 4p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The steady-state model for coupled defect-impurity diffusion in silicon.
Autor: Morehead, F. F., Lever, R. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/1989, Vol. 66 Issue 11, p5349, 4p, 2 Charts
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Boron diffusion in silicon at high concentrations.
Autor: Orr Arienzo, W. A., Glang, R., Lever, R. F., Lewis, R. K., Morehead, F. F
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1988, Vol. 63 Issue 1, p116, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Formation of Amorphous Silicon by Ion Bombardment as a Function of Ion, Temperature, and Dose.
Autor: Morehead, F. F., Crowder, B. L., Title, R. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1972, Vol. 43 Issue 3, p1112-1118, 7p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Injection Mechanism and Recombination Kinetics in Electroluminescent CdTe Diodes.
Autor: Morehead, F. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1966, Vol. 37 Issue 9, p3487-3492, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Periodical
On the nature of point defects and the effect of oxidation on substitutional dopant diffusion in silicon
Autor: Tan, T. Y., Gösele, U., Morehead, F. F.
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing; June 1983, Vol. 31 Issue: 2 p97-108, 12p
Zobrazit plný text záznamu
8
Periodical
A model for the formation of amorphous Si by ion bombardment
Autor: Morehead, F. F., Crowder, B. L.
Publikováno v: Radiation Effects and Defects in Solids; January 1970, Vol. 6 Issue: 1 p27-32, 6p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Enhanced ‘‘tail’’ diffusion of phosphorus and boron in silicon: Self-interstitial phenomena.
Autor: Morehead, F. F., Lever, R. F.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1/13/1986, Vol. 48 Issue 2, p151, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Exact description and data fitting of ion-implanted dopant profile evolution during annealing.
Autor: Ghez, R., Oehrlein, G. S., Sedgwick, T. O., Morehead, F. F., Lee, Y. H.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1984, Vol. 45 Issue 8, p881-883, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje