A Novel Isolation Approach for GaN-Based Power Integrated Devices.

Autor: Zaidan Z; Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes, Institut Interdisciplinaire D'innovation Technologique, Université de Sherbrooke, 3000 Boulevard de l'Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada.; Laboratoire de Recherche Spécialisé dans L'analyse et L'architecture des Systèmes, The National Centre for Scientific Research, Université Toulouse III Paul Sabatier, 31062 Toulouse, France., Al Taradeh N; Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes, Institut Interdisciplinaire D'innovation Technologique, Université de Sherbrooke, 3000 Boulevard de l'Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada., Benjelloun M; Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes, Institut Interdisciplinaire D'innovation Technologique, Université de Sherbrooke, 3000 Boulevard de l'Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada., Rodriguez C; Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes, Institut Interdisciplinaire D'innovation Technologique, Université de Sherbrooke, 3000 Boulevard de l'Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada., Soltani A; Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes, Institut Interdisciplinaire D'innovation Technologique, Université de Sherbrooke, 3000 Boulevard de l'Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada., Tasselli J; Laboratoire de Recherche Spécialisé dans L'analyse et L'architecture des Systèmes, The National Centre for Scientific Research, Université Toulouse III Paul Sabatier, 31062 Toulouse, France., Isoird K; Laboratoire de Recherche Spécialisé dans L'analyse et L'architecture des Systèmes, The National Centre for Scientific Research, Université Toulouse III Paul Sabatier, 31062 Toulouse, France., Phung LV; Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Ecole Centrale Lyon, The National Centre for Scientific Research, University Claude Bernard Lyon 1, CNRS, Ampère, 69621 Villeurbanne, France., Sonneville C; Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Ecole Centrale Lyon, The National Centre for Scientific Research, University Claude Bernard Lyon 1, CNRS, Ampère, 69621 Villeurbanne, France., Planson D; Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Ecole Centrale Lyon, The National Centre for Scientific Research, University Claude Bernard Lyon 1, CNRS, Ampère, 69621 Villeurbanne, France., Cordier Y; Univ. Côte d'Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Grégory, 06560 Valbonne, France., Morancho F; Laboratoire de Recherche Spécialisé dans L'analyse et L'architecture des Systèmes, The National Centre for Scientific Research, Université Toulouse III Paul Sabatier, 31062 Toulouse, France., Maher H; Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes, Institut Interdisciplinaire D'innovation Technologique, Université de Sherbrooke, 3000 Boulevard de l'Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada.

Publikováno v: Micromachines [Micromachines (Basel)] 2024 Sep 30; Vol. 15 (10). Date of Electronic Publication: 2024 Sep 30.

AlGaN/GaN MIS-HEMT gate structure improvement using Al2O3 deposited by plasma-enhanced ALD

Autor: Meunier, R., Torres, A., Morvan, E., Charles, M., Gaud, P., Morancho, F.

Publikováno v: In Microelectronic Engineering September 2013 109:378-380

Design and optimization of high voltage LDMOS transistors on 0.18 μm SOI CMOS technology

Autor: Toulon, G., Cortés, I., Morancho, F., Hugonnard-Bruyère, E., Villard, B., Toren, W.J.

Publikováno v: In Solid State Electronics 2011 61(1):111-115

Experimental validation of the ‘FLoating Islands’ concept: 95 V breakdown voltage vertical FLIDiode.

Autor: Alves, S.¹, Morancho, F.² morancho@laas.fr, Reynès, J.-M.¹, Margheritta, J.¹, Deram, I.¹, Isoird, K.², Beydoun, B.³

Publikováno v: IEE Proceedings -- Circuits, Devices & Systems. Feb2006, Vol. 153 Issue 1, p53-60. 8p. 7 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs.

Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO2/GaN interfaces.

Autor: Alam, E. Al, Cortés, I., Besland, M.-P., Goullet, A., Lajaunie, L., Regreny, P., Cordier, Y., Brault, J., Cazarré, A., Isoird, K., Sarrabayrouse, G., Morancho, F.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr2011, Vol. 109 Issue 8, p084511, 9p, 1 Black and White Photograph, 2 Diagrams, 3 Charts, 8 Graphs