Zobrazeno 1 - 10
of 134
pro vyhledávání: '"Morales, F. M."'
Autor:
Aseev, P., Gačević, Ž., Mánuel, J. M., Jiménez, J. J., García, R., Morales, F. M., Calleja, E.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth 493 (2018) 65
This work presents an experimental and theoretical insight into formation mechanisms of single crystalline wurtzite InN quantum dots (QDs) fabricated via metal droplet epitaxy (DE) by employing plasma assisted molecular beam epitaxy. The applied proc
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.00223
Autor:
Morales, F. M., Ramírez, J., Fernández, C., Barbadillo, L., Piqueras, J., Araújo, D., Molina, S. I., García, R.
Publikováno v:
Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, Vol 43, Iss 2, Pp 363-366 (2004)
The fabrication and characterization of thin SiC layers obtained by Rapid Thermal Chemical Vapour Deposition (RTCVD) are reported. These SiC layers were grown in a simple home-made system for Si wafers carbonization. The growth process was carried ou
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/55278203ae0645dc8649b626a1ac7361
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gonzalez, D., Lozano, J. G., Herrera, M., Morales, F. M., Ruffenach, S., Briot, O., Garcia, R.
Uncapped InN nanostructures undergo a deleterious natural aging process at ambient conditions by oxygen incorporation. The phases involved in this process and their localization is mapped by Transmission Electron Microscopy (TEM) related techniques.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0911.4442
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kwan, D. C. M., Kesaria, M., Jiménez, J. J., Srivastava, V., Delmas, M., Liang, B. L., Morales, F. M., Huffaker, D. L.
Publikováno v:
Scientific Reports. 12
At room temperature, a 10 µm cut-off wavelength coincides with an infrared spectral window and the peak emission of blackbody objects. We report a 10 µm cut-off wavelength InAs/GaSb T2SL p-i-n diode on a GaAs substrate with an intentional interfaci
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.