Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"Moon, Jeong‐Sun"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Nov2024, Vol. 221 Issue 21, p1-7, 7p
Autor:
de Heer, Walt A., Berger, Claire, Wu, Xiaosong, Sprinkle, Mike, Hu, Yike, Ruan, Ming, Stroscio, Joseph A., First, Phillip N., Haddon, Robert, Piot, Benjamin, Faugeras, Clement, Potemski, Marek, Moon, Jeong-Sun
Publikováno v:
J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 374007 (2010)
Since its inception in 2001, the science and technology of epitaxial graphene on hexagonal silicon carbide has matured into a major international effort and is poised to become the first carbon electronics platform. A historical perspective is presen
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1003.4776
Autor:
First, Phillip N., de Heer, Walt A., Seyller, Thomas, Berger, Claire, Stroscio, Joseph A., Moon, Jeong-Sun
Publikováno v:
MRS BULLETIN, 35, 296 (2010)
The materials science of graphene grown epitaxially on the hexagonal basal planes of SiC crystals is reviewed. We show that the growth of epitaxial graphene on Si-terminated SiC(0001) is much different than growth on the C-terminated SiC(000 -1) surf
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1002.0873
Autor:
Hayes, Robert R., Kiselev, Andrey A., Borselli, Matthew G., Bui, Steven S., Croke III, Edward T., Deelman, Peter W., Maune, Brett M., Milosavljevic, Ivan, Moon, Jeong-Sun, Ross, Richard S., Schmitz, Adele E., Gyure, Mark F., Hunter, Andrew T.
We have observed the Zeeman-split excited state of a spin-1/2 multi-electron Si/SiGe depletion quantum dot and measured its spin relaxation time T1 in magnetic fields up to 2 T. Using a new step-and-reach technique, we have experimentally verified th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0908.0173
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2014 101:44-49
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 9, pN.PAG-N.PAG, 8p, 2 Diagrams, 4 Graphs