Behavioral-Modeling Methodology to Predict Electrostatic-Discharge Susceptibility Failures at System Level : an IBIS Improvement

Autor: Monnereau, N., Caignet, F., Nolhier, N., David Trémouilles, Bafleur, M.

Publikováno v: Proceedings of the 10th Int. Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC Europe 2011)
Int. Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC Europe 2011)
Int. Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC Europe 2011), Sep 2011, YORK, United Kingdom. pp.457-463
Scopus-Elsevier

International audience; In this paper, a behavioral modeling methodology to predict ElectroStatic-Discharge (ESD) failures at system level is proposed and validated. The proposed models enable time domain simulation to determine voltage and current w

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8dfeddc0b809edcd858a226f853d7084
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00722643

ESD system level characterization and modeling methods applied to a LIN transceiver.

Autor: Besse, P., Lafon, F., Monnereau, N., Caignet, F., Laine, J.P., Salles, A., Rigour, S., Bafleur, M., Nolhier, N., Tremouilles, D.

Publikováno v: 2011 33rd NO POD PERMISSION Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD); 2011, p1-9, 9p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.