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Publikováno v:
In Comptes rendus - Physique 2008 9(2):153-160
Reproduction de : Thèse de doctorat : Sciences des Matériaux : Lille 1 : 2004.
N° d'ordre (Lille 1) : 3572. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.
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Externí odkaz:
https://iris.univ-lille1.fr/dspace/handle/1908/193
Reproduction de : Thèse de doctorat : Sciences des Matériaux : Lille 1 : 2006.
N° d'ordre (Lille 1) : 3821. Résumé en français et en anglais. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaq
N° d'ordre (Lille 1) : 3821. Résumé en français et en anglais. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaq
Externí odkaz:
https://iris.univ-lille1.fr/dspace/handle/1908/1002
Reproduction de : Habilitation à diriger des recherches : Sciences physiques : Lille 1 : 2005.
Synthèse des travaux en français. Recueil de publications en anglais non reproduit dans la version électronique. N° d'ordre (Lille 1) : 472.
Synthèse des travaux en français. Recueil de publications en anglais non reproduit dans la version électronique. N° d'ordre (Lille 1) : 472.
Externí odkaz:
https://iris.univ-lille1.fr/dspace/handle/1908/670
Publikováno v:
Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2002, 81, pp.1060-1062
Applied Physics Letters, 2002, 81, pp.1086-1088
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2002, 81, pp.1086-1088
Applied Physics Letters, 2002, 81, pp.1060-1062
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2002, 81, pp.1060-1062
Applied Physics Letters, 2002, 81, pp.1086-1088
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2002, 81, pp.1086-1088
Applied Physics Letters, 2002, 81, pp.1060-1062
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0c1765e84883881c114f5cfb03619e28
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00018491
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00018491
Autor:
Fawaz, Hussein, Thiery, Jean-Francois, Linh, Nuyen, Mollot, Francis, Pesant, Jean-Claude, Francois, Marc, Muller, Michel, Delos, E., Salmer, Georges
Publikováno v:
Fawaz, Hussein ; Thiery, Jean-Francois ; Linh, Nuyen ; Mollot, Francis ; Pesant, Jean-Claude ; Francois, Marc ; Muller, Michel ; Delos, E. ; Salmer, Georges (1996) III-V complementary HIGFET technology for low power microwave and high speed/low power digital integrated circuits. In: Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1996, 5-6 June 1996, Paris, France.
A self aligned complementary HIGFET technology has been developed for high speed/low power digital and microwave analog applications. The process uses 9 lithographic steps including two level of interconnect metal. Typical transconductances of 290 mS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0dfa39354dafb6bc52e6d38950e63c5d
Autor:
Theron, Didier, Boudart, B., Zaknoune, Mohamed, Mollot, Francis, Druelle, Y., Gérard, Henri, Salmer, Georges, Lipka, M., Westphalen, R., Kohn, Erhard
Publikováno v:
Workshop on non-stoichiometric GaAs and related materials
Workshop on non-stoichiometric GaAs and related materials, 1996, Santa Barbara, United States
Workshop on non-stoichiometric GaAs and related materials, 1996, Santa Barbara, United States
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::57b66c491d8ca4294a8211deeef868b7
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01654286
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01654286
Publikováno v:
Proceeding of the European Space Agency, ESTEC. workshop, Noordwijk, Netherlands, 5-7 December, 1995
Proceeding of the European Space Agency, ESTEC. workshop, Noordwijk, Netherlands, 5-7 December, 1995, 1995, Noordwijk, Netherlands. pp.1-10
Proceeding of the European Space Agency, ESTEC. workshop, Noordwijk, Netherlands, 5-7 December, 1995, 1995, Noordwijk, Netherlands. pp.1-10
InGaAs/InAlAs/AlAs Single Barrier Varacors (SBV's) and InGaAs/AlAs double barrier Resonant Tunneling Diodes (RTD's) were integrated in a planar configuration. The epilayers, designed for millimeter-wave applications, were grown by gas sources MBE and
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2332dea930a6b7d7894549abbf27493e
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00076912
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00076912
Publikováno v:
Proceeding of the 5th European Heterostructure Technology, Cardiff, U. K., September 17-19
E. Lheurette, P. Mounaix, P. Salzenstein, F. Mollot and D. Lippens, "Planar integration of Single and Double Barrier Quantum Devices", Proceeding of the 5th European Heterostructure Technology, Cardiff, U. K., September 17-19, 1995
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e461e129298a51d51025239e435d9845
https://hal.science/hal-00076897
https://hal.science/hal-00076897
Autor:
Lesecq, Marie, Beaugeois, Maxime, Maricot, Sophie, Boyaval, Christophe, Legrand, Christiane, François, Marc, Muller, Michel, Mollot, Francis, Bouazaoui, Mohammed, Vilcot, Jean-Pierre
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2007, Issue 1, p659305-659305-11, 11p