Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"Mok, K. R. C."'
Autor:
Mok, K. R. C., Benistant, F., Jaraiz, M., Rubio, J. E., Castrillo, P., Pinacho, R., Srinivasan, M. P.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Jan2008, Vol. 103 Issue 1, p014911, 7p, 1 Diagram, 10 Graphs
Autor:
Mok, K. R C Caroline, Van De Loo, Bas W H, Vlooswijk, Ard H G, Kessels, W. M M Erwin, Nanver, Lis K.
Publikováno v:
Mok, K R C C, Van De Loo, B W H, Vlooswijk, A H G, Kessels, W M M E & Nanver, L K 2015, ' Boron-Doped Silicon Surfaces from B 2 H 6 Passivated by ALD Al 2 O 3 for Solar Cells ', IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 5, no. 5, 7130564, pp. 1310-1318 . https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2015.2438640
A p+-doping method for silicon solar cells is presented whereby boron atoms from a pure boron (PureB) layer deposited by chemical vapor deposition using B2H6 as precursor were thermally diffused into silicon. The applicability of this doping process
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0382fa85b64d383b8eb5def13fa23cb0
https://vbn.aau.dk/da/publications/acd0b034-c567-4764-9814-88aeba06adfd
https://vbn.aau.dk/da/publications/acd0b034-c567-4764-9814-88aeba06adfd
Ion-beam amorphization of semiconductors: A physical model based on the amorphous pocket population.
Autor:
Mok, K. R. C., Jaraiz, M., Martin-Bragado, I., Rubio, J. E., Castrillo, P., Pinacho, R., Barbolla, J., Srinivasan, M. P.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/15/2005, Vol. 98 Issue 4, p046104, 3p, 1 Color Photograph, 1 Graph
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2014 29th Symposium on Microelectronics Technology & Devices (SBMicro); 2014, p1-4, 4p
Publikováno v:
2014 12th IEEE International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT); 2014, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.