Zobrazeno 1 - 10
of 102
pro vyhledávání: '"Moiseev, A. M."'
Autor:
Seleznev, V. A., Divochiy, A., Vakhtomin, Yu. B., Morozov, P. V., Zolotov, P. I., Vasilev, D. D., Moiseev, K. M., Malevannaya, E. I., Smirnov, K. V.
We have developed the deposition technology of WSi thin films 4 to 9 nm thick with high temperature values of superconducting transition (Tc~4 K). Based on deposed films there were produced nanostructures with indicative planar sizes ~100 nm, and the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1606.09406
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 2022, Vol. 2383/2470 Issue 1, p1-7, 7p
Autor:
null Kersnovskiy E.S., null Buylov N. S., null Ivkov S. A., null Barkov K. A., null Moiseev K. M., null Vasilev D. D., null Mikhaylova I.V., null Hydyrova S. Yu.
Publikováno v:
Physics of the Solid State. 64:1178
An experimental investigation of the structure and phase composition by X-ray, Raman, and ultrasoft X-ray emission spectroscopy, as well as the study of the electrical properties of WxSi1-x films used as sensitive elements of superconducting single-p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::307d77ef711b75bc18753fc0a06e12e5
https://doi.org/10.21883/pss.2022.09.54147.08hh
https://doi.org/10.21883/pss.2022.09.54147.08hh
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Mendeleev Communications 2006 16(4):215-218
Publikováno v:
In Tetrahedron 2006 62(17):4139-4145
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Tetrahedron 2005 61(46):10880-10885
Publikováno v:
Physics of the Solid State; September 2021, Vol. 63 Issue: 9 p1410-1413, 4p