Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Moise, Ted"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/1/1997, Vol. 81 Issue 7, p3207, 7p, 4 Diagrams, 2 Charts, 17 Graphs
Autor:
Klimeck, Gerhard, Lake, Roger, Fernando, Chenjing L., Chris Bowen, R., Blanks, Daniel, Leng, Manhua, Moise, Ted, Kao, Y. C., Frensley, William R.
Publikováno v:
Quantum Devices & Circuits, Proceedings of the International Conference; 1996, p154-159, 6p
Autor:
McAdams, Hugh P., Acklin, Randy, Blake, Terry, Xiao-Hong Du, Elison, Jarrod, Fong, John, Kraus, William E., Liu, David, Madan, Sudhir, Moise, Ted, Natarajan, Sreedhar, Ning Qian, Sreedhar, Yunchen Qiu, Sreedhar, Remack, Keith A., Rodrigue, John, Seshadri, Anand, Summerfelt, Scott R.
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits; Apr2004, Vol. 39 Issue 4, p667-677, 11p
Autor:
Ying, Chris, Mananquil, Reggie, Patz, Ryan, Sabharwal, Amitabh, Kumar, Ajay, Celii, Francis, Thakre, Mahesh, Gay, Mark, Kraft, Robert, Summerfelt, Scott, Moise, Ted
Publikováno v:
Integrated Ferroelectrics; 2003, Vol. 53 Issue 1, p325-332, 8p
Autor:
Celii, Francis G., Thakre, Mahesh, Gay, Mark K., Summerfelt, Scott R., Aggarwal, Sanjeev, Martin, J. Scott, Hall, Lindsey, Udayakumar, K. R., Moise, Ted S.
Publikováno v:
Integrated Ferroelectrics; 2003, Vol. 53 Issue 1, p269-277, 9p
Autor:
Rickes, Jürgen T., Mcadams, Hugh, Grace, James, Fong, John, Gilbert, Steve, Wang, Angela, Lee, Dave, Pietrzyk, Cezary, Lanham, Ralph, Amano, Jun, Summerfelt, Scott, Moise, Ted, Waser, Rainer M.
Publikováno v:
Integrated Ferroelectrics; Jan2002, Vol. 48 Issue 1, p109-118, 10p
Autor:
Gerhard Klimeck, Boykin, Timothy B., Bowen, R. Chris, Lake, Roger, Blanks, Dan, Moise, Ted, Kao, Yung-Chung, Frensley, William R.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
ResearcherID
ResearcherID
State-of-the-art InP-based resonant tunneling diodes (RTDs) are being developed for circuit applications such as low power memory cells and high speed adders. Depending on the application RTDs must be designed to provide either a low or a high curren
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6a32dec044c6d386bb84df8f33251994
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0030650826&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0030650826&partnerID=MN8TOARS
Autor:
Moise, Ted, Rickert, Peter
Publikováno v:
Electronic Engineering Times (01921541). 3/17/2003, Issue 1261, p43. 2p.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.