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Autor:
Moi, Alberto
Publikováno v:
Repositório Institucional da UNIJUIUniversidade Regional do Noroeste do Estado do Rio Grande do SulUNIJUI.
Este trabalho mostra os estudos teóricos sobre a caracterização do efeito piezoresistivo em filmes finos semicondutores, em especial, o silício tipo P e tipo N. Usa-se modelos matemáticos e simulação computacional, a partir de dados experiment
