Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"Mohapatra Nihar Ranjan"'
Autor:
Patil, Shubham, Sharma, Anand, R, Gaurav, Kadam, Abhishek, Singh, Ajay Kumar, Lashkare, Sandip, Mohapatra, Nihar Ranjan, Ganguly, Udayan
Compact and energy-efficient Synapse and Neurons are essential to realize the full potential of neuromorphic computing. In addition, a low variability is indeed needed for neurons in Deep neural networks for higher accuracy. Further, process (P), vol
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.11640
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Patil, Shubham, Sharma, Anand, Gaurav, R., Kadam, Abhishek, Singh, Ajay Kumar, Lashkare, Sandip, Mohapatra, Nihar Ranjan, Ganguly, Udayan
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; January 2024, Vol. 71 Issue: 1 p752-758, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
VDAT
In this work, LDMOS transistors with different drift length and drift doping are characterized at cryogenic temperature. The physics behind the LDMOS transistor behavior at this extreme environmental condition is studied by analyzing device parameter
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bhoir, Mandar S., Chiarella, Thomas, Mitard, Jerome, Horiguchi, Naoto, Mohapatra, Nihar Ranjan
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Nov2020, Vol. 67 Issue 11, p4691-4695, 5p
Publikováno v:
IndraStra Global.
In this paper, we analyze the role of device dimensions and layout/design rules on the analog performance of HKMG NMOS transistors. We have shown ∼28% improvement in the intrinsic gain and ∼26% improvement in the gm/Id for an 80nm wide transistor