Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"Mohan, Nagaboopathy"'
Autor:
Mohan, Nagaboopathy
Gallium Nitride (GaN) and its alloys with InN and AlN, the III-nitrides, are of interest for a variety of high power-high frequency electronics and optoelectronics applications. However, unlike Si and GaAs technology that have been developed on nativ
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2005/2789
http://etd.ncsi.iisc.ernet.in/abstracts/3656/G26626-Abs.pdf
http://etd.ncsi.iisc.ernet.in/abstracts/3656/G26626-Abs.pdf
Autor:
Jaiswal, Piyush, Muazzam, Usman Ul, Pratiyush, Anamika Singh, Mohan, Nagaboopathy, Raghavan, Srinivasan, Muralidharan, R., Shivashankar, S. A., Nath, Digbijoy N.
We report on the deposition of gallium oxide using microwave irradiation technique on III nitride epi layers. We also report on the first demonstration of a gallium oxide device, a visible blind deep UV detector, with GaN based heterostructure as the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.09615
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Mohan, Nagaboopathy, Bardhan, Abheek, Bhat, KN, Bhat, Navakanta, Ravishankar, N, Raghavan, Srinivasan
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 103, 211902 (2013)
The integration of MOCVD grown group III-A nitride device stacks on Si (111) substrates is critically dependent on the quality of the first AlN buffer layer grown. A Si surface that is both oxide-free and smooth is a primary requirement for nucleatin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.03809
Autor:
Soman, Rohith, Mohan, Nagaboopathy, Chandrasekar, Hareesh, Bhat, Navakanta, Raghavan, Srinivasan
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 24, pN.PAG-N.PAG, 7p, 1 Diagram, 3 Graphs
Autor:
Bardhan, Abheek, Mohan, Nagaboopathy, Chandrasekar, Hareesh, Ghosh, Priyadarshini, Sridhara Rao, D. V., Raghavan, Srinivasan
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 10p, 1 Color Photograph, 6 Diagrams, 2 Charts, 6 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 10/7/2015, Vol. 118 Issue 13, p135302-1-135302-11, 11p, 2 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.