Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"Moen, K.A."'
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2011 56(1):47-55
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting (BCTM); 2011, p13-16, 4p
Impact of body tie and Source/Drain contact spacing on the hot carrier reliability of 45-nm RF-CMOS.
Autor:
Arora, R., Moen, K.A., Madan, A., Cressler, J.D., Enxia Zhang, Fleetwood, D.M., Schrimpf, R.D., Sutton, A.K., Nayfeh, H.M.
Publikováno v:
2010 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report (IRW); 2010, p56-60, 5p
Autor:
Moen, K.A., Jiahui Yuan, Chakraborty, P.S., Bellini, M., Cressler, J.D., Ho, H., Yasuda, H., Wise, R.
Publikováno v:
2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting (BCTM); 2010, p257-260, 4p
Publikováno v:
2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting (BCTM); 2010, p157-160, 4p
Publikováno v:
2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits & Technology Meeting (BCTM); 2010, p141-144, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.