Zobrazeno 1 - 10 of 109 pro vyhledávání: '"Mnatsakanov, T."'
1
Akademický článek
I–V Characteristics of High-Power Diode Structures with Sharply Asymmetric Injection Ability of the Emitters.
Autor: Tandoev, A. G.1 (AUTHOR), Mnatsakanov, T. T.1 (AUTHOR) mnatt@yandex.ru, Yurkov, S. N.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Dec2021 Supplement 1, Vol. 55 Issue 1, pS22-S29. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
High-Power Schottky Diodes with a Negative-Differential-Resistance Portion in the I–V Characteristic.
Autor: Tandoev, A. G.1 (AUTHOR), Mnatsakanov, T. T.1 (AUTHOR) mnatt@yandex.ru, Yurkov, S. N.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. 2021, Vol. 55 Issue 1, p92-99. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
S-Shaped I–V Characteristics of High-Power Schottky Diodes at High Current Densities.
Autor: Tandoev, A. G.1 (AUTHOR), Mnatsakanov, T. T.1 (AUTHOR) mnatt@yandex.ru, Yurkov, S. N.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. May2020, Vol. 54 Issue 5, p567-574. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Multidimensional dU/dT Effect in High-Power Thyristors.
Autor: Yurkov, S. N.1 (AUTHOR) yurkov.sn@mail.ru, Mnatsakanov, T. T.1 (AUTHOR), Tandoev, A. G.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Jan2020, Vol. 54 Issue 1, p112-116. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Theoretical Analysis of the Effect of dU/dt in 4H-SiC Thyristor Structures.
Autor: Yurkov, S. N.1 yurkov.sn@mail.ru, Mnatsakanov, T. T.1, Tandoev, A. G.1
Publikováno v: Technical Physics. Oct2018, Vol. 63 Issue 10, p1497-1503. 7p. 1 Chart, 5 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Current-voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities under the injection of minority carriers.
Autor: Mnatsakanov, T.1 mnatt@yandex.ru, Tandoev, A.1, Levinshtein, M.2, Yurkov, S.1, Palmour, J.3
Publikováno v: Semiconductors. Aug2017, Vol. 51 Issue 8, p1081-1086. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
On the limit of the injection ability of silicon p - n junctions as a result of fundamental physical effects.
Autor: Mnatsakanov, T.1 Melev@nimis.ioffe.ru, Levinshtein, M.2, Shuman, V.2, Seredin, B.3
Publikováno v: Semiconductors. Jun2017, Vol. 51 Issue 6, p798-802. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4 H-SiC thyristors.
Autor: Yurkov, S.1, Mnatsakanov, T.1, Levinshtein, M.2 melev@nimis.ioffe.rssi.ru, Tandoev, A.1, Palmour, J.3
Publikováno v: Semiconductors. Feb2017, Vol. 51 Issue 2, p225-231. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
High-Voltage Silicon-Carbide Thyristor with an n-type Blocking Base.
Autor: Levinshtein, M.1 melev@nimis.ioffe.ru, Mnatsakanov, T.2, Yurkov, S.2, Tandoev, A.2, Ryu, Sei-Hyung3, Palmour, J.3
Publikováno v: Semiconductors. Mar2016, Vol. 50 Issue 3, p404-410. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Transport phenomena in intrinsic semiconductors and insulators at high current densities: Suppression of the broken neutrality drift.
Autor: Mnatsakanov, T. T., Levinshtein, M. E., Tandoev, A. G., Yurkov, S. N.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug2013, Vol. 114 Issue 6, p064503, 8p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje