Zobrazeno 1 - 10
of 403
pro vyhledávání: '"Mizuta, E."'
Autor:
Ueda, T., Fukushima, K., Nannya, Y., Hino, A., Hamada, M., Mizutani, Y., Mizuta, E., Hasegawa, C., Yamaguchi, Y., Kurashige, R., Nakai, R., Kusakabe, S., Ichii, M., Fujita, J., Hosen, N.
Publikováno v:
In Leukemia Research Reports 2024 21 Supplement
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Saito, Y., Akita, D., Fuke, H., Iijima, I., Izutsu, N., Kato, Y., Kawada, J., Matsuzaka, Y., Mizuta, E., Namiki, M., Nonaka, N., Ohta, S., Sato, T., Seo, M., Takada, A., Tamura, K., Toriumi, M., Yamagami, T., Yamada, K., Yoshida, T., Matsushima, K., Tanaka, S.
Publikováno v:
In Advances in Space Research 2012 49(4):613-620
Autor:
Fuke, H., Izutsu, N., Akita, D., Iijima, I., Kato, Y., Kawada, J., Matsushima, K., Matsuzaka, Y., Mizuta, E., Namiki, M., Nonaka, N., Ohta, S., Saito, Y., Sato, T., Seo, M., Shoji, Y., Takada, A., Tamura, K., Toriumi, M., Yamada, K., Yamagami, T., Yoshida, T.
Publikováno v:
In Advances in Space Research 2011 48(6):1136-1146
Autor:
Fuke, H., Akita, D., Iijima, I., Izutsu, N., Kato, Y., Kawada, J., Matsuzaka, Y., Mizuta, E., Namiki, M., Nonaka, N., Ohta, S., Saito, Y., Seo, M., Takada, A., Tamura, K., Toriumi, M., Yamada, K., Yamagami, T., Yoshida, T.
Publikováno v:
In Advances in Space Research 2010 45(4):490-497
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
It was found that the behavior of damage sites introduced by Single-Event Gate Ruptures (SEGRs) in Silicon Carbide (SiC) vertical power Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors (MOSFETs) were essentially different from the one observed in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::c8690ffb02fa4c87999cab5181106867
https://repo.qst.go.jp/records/77086
https://repo.qst.go.jp/records/77086
Publikováno v:
RADECS 2017 Proceedings.
The single-event damages observed in commercially available AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) were investigated. For power handling applications, normally–off operation is achieved by p-type GaN gate material and its rated drain
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::789824e606ca5cbcb39f5050f6edb4a7
https://repo.qst.go.jp/records/54873
https://repo.qst.go.jp/records/54873
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 8/31/2019, Vol. 11180, p1-27, 27p