Zobrazeno 1 - 10
of 589
pro vyhledávání: '"Miyake, Hideto"'
Autor:
Zhang, Zexuan, Hayashi, Yusuke, Tohei, Tetsuya, Sakai, Akira, Protasenko, Vladimir, Singhal, Jashan, Miyake, Hideto, Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep, Cho, YongJin
N-polar aluminum nitride (AlN) is an important building block for next-generation high-power RF electronics. We report successful homoepitaxial growth of N-polar AlN by molecular beam epitaxy (MBE) on large-area cost-effective N-polar AlN templates.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.08604
Autor:
Ogawa, Yuki, Akaike, Ryota, Hayama, Jiei, Uesugi, Kenjiro, Shojiki, Kanako, Akiyama, Toru, Nakamura, Takao, Miyake, Hideto
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/21/2024, Vol. 135 Issue 19, p1-11, 11p
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 January 2024 625
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 1 November 2023 166
Autor:
Namikawa, Gaku, Shojiki, Kanako, Yoshida, Riku, Kusuda, Ryusei, Uesugi, Kenjiro, Miyake, Hideto
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 September 2023 617
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.